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高度加速的溫度和濕度壓力測(cè)試（HAST）是一個(gè)高度加速，以溫度和濕度為基礎(chǔ)的電子元件可靠性試驗(yàn)方法。隨著進(jìn)來(lái)電子技術(shù)的高速發(fā)展，幾年前剛剛出現(xiàn)的加速試驗(yàn)可能不再適應(yīng)當(dāng)今的技術(shù)了，尤其是那些專門針對(duì)微電子產(chǎn)品的加速試驗(yàn)。例如，由于塑料集成電路包的發(fā)展，現(xiàn)在用傳統(tǒng)的、普遍被接受的85℃/85%RH的溫度/濕度試驗(yàn)需要花上千小時(shí)才能檢測(cè)出新式集成電路的失效。在大多數(shù)情況下，試驗(yàn)樣本在整個(gè)試驗(yàn)中不發(fā)生任何

更新時(shí)間：2025-01-08

在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝顯得更為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì)侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑HMDS（六甲基二硅氮烷）可以很好地改善這

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